6月20日上午，美国宾夕法尼亚州立大学赵维巍博士来公司访问交流，为学院师生作了题为“磁性拓扑绝缘体及低维超导中的量子效应研究”的学术报告。报告在会议中心思睿厅举行，参会师生受益匪浅。

量子反常霍尔效应在2013年首次被实验证实以后，在实验和理论研究方面都受到广泛关注。赵维巍博士介绍了在V掺杂的磁性拓扑绝缘体中，首次观测到零磁场下获得零电阻的量子反常霍尔效应，以及具有无损耗拓扑边态的实验证据(Nature Materials 14,473；Phys. Rev. Lett. 115,057206)。超导体作为具有无损耗电阻的另一种材料，其低维体系中存在丰富的量子行为，这些效应可被用于未来的量子计算与存储的核心器件。赵维巍博士还介绍了几个低维超导体系中的量子行为研究，包括超导纳米线中的宏观量子遂穿、单磁通开关，以及超导薄膜中的KTB相变、vortex相变、Ising pair的观测等(Nano Letters 15,153；Nano Letters 16,1173；2D materials 3,024006；Solid State Comm. 165,59；Nature Physics 12,139)。

赵维巍2008年博士毕业于哈尔滨工业大学材料学院。同年11月，进入由薛其坤院士/马旭村研究员带领的研究组（中科院物理所/清华大学物理系）开始博士后工作，从事量子功能薄膜材料的制备及量子效应研究。2011年9月，进入美国宾夕法尼亚州立大学物理系Moses Chan院士研究组，从事拓扑绝缘体及低维超导中的量子效应研究。2015年9月至今，受聘为美国宾夕法尼亚州立大学物理系Research Associate职务。已在国际学术刊物Nature Materials、Nature Physics、Nano Letters、Phys.Rev.Lett.、2D materials等杂志上发表或录用学术论文17篇，第一作者或通讯作者文章9篇，其中包括1篇Nature Materials, 2篇Nano Letters，1篇Phys.Rev.Lett.，1篇2D materials.获得发明专利13项（含美国发明专利1项）。