4月26日，中国科学院上海技术物理研究所孙聊新研究员应邀来物电学院进行学术交流，并作了题为“半导体微纳材料光学特性的应变调控”的学术报告。

孙聊新研究员在报告中展示了应变对单根半导体弯曲纳米线及纳米带中的荧光峰、激子动力学以及激射特性的调制作用。受启发于弹性材料上有序结构的制作工艺，报告提出利用弹性衬底来获得周期性弯曲半导体纳米线、纳米带。在纳米波状结构中，压缩应力和拉伸应力沿着纳米结构长轴方向周期分布，使得光致发光谱（PL）中峰位发生周期性移动，最大荧光峰移动范围可达250 meV。详细的微区光致发光谱和微区反射光谱表征证实了不同的带边激子荧光峰移动随应变的依赖行为不同。该结果表明，对纳米结构施加应力将会对柔性发光器件以及全光学片上器件的功能设计提供一个新的思路。报告会结束后，学院相关专业的师生还与孙聊新研究员进行了热烈讨论，双方收获良多。

孙聊新博士是中国科学院上海技术物理研究所研究员，2009年在复旦大学获得博士学位并进入上海技术物理研究所工作。2011年11月-2014年1月期间，赴美国宾夕法尼亚大学材料工程系，从事博士后研究工作。主要研究领域包括：新型微纳材料的制备及光学特性、光-物质强耦合的物理及应用、微型光谱系统的设计开发以及低维材料中的光电探测物理机理及应用特性等。先后主持国家自然科学基金项目3项，上海市自然科学基金2项，浦江人才计划1项等。获得2010年上海市优秀博士论文奖；入选2014年上海市浦江人才计划；入选2016年中国科学院青年促进会。已在Physical Review Letters、Nano Letter、Optics Express、Physical Review B等杂志上发表论文26篇，他引次数240余次。以第一或通信作者发表在Physical Review Letter（影响因子7.943）1篇，Nano Letter（影响因子13.025）2篇，Optics Express（影响因子3.5）4篇。授权专利三项。