11月27日，湖南大学廖蕾教授应物电学院所邀进行学术交流，并作了题为“二维半导体晶体管构筑”的学术报告。
报告中廖教授介绍了二维半导体的异质集成与器件构筑。晶体管是现代信息技术中最重要的发明之一，是所有现代电路的关键主动元件。一直以来，晶体管沿着摩尔定律的方向不断发展，缩小器件特征尺寸，增快器件开关速度。但是随着晶体管的沟道长度缩短至10纳米，短沟道效应和量子限域效应带来的影响已经不能忽略,沟道长度缩短与器件性能提升不能完全对应。因此，为了保持晶体管的继续发展和克服短沟道效应带来的影响，对半导体材料的质量要求越来越高，厚度要求越来越薄。二维半导体材料成为克服短沟道效应的潜在候选之一。二维半导体的异质集成与器件构筑，采用范德华异质集成和超薄缓冲层方法，抑制传统沉积技术产生的缺陷，降低栅介质/二维材料的界面缺陷密度，削弱金属/二维材料的钉扎效应，获得了高质量的器件界面。上述工作为二维半导体器件设计与构建提供了一些新思路。
廖蕾，湖南大学教授。2004年，获武汉大学物理学院材料物理专业学士学位;2009年,获武汉大学材料物理与化学专业博士学位。其间，在中国科学院物理研究所联合培养。2009年至2011年，在加州大学洛杉矶分校进行博士后工作，2011年7月份至2016年12月在武汉大学物理学院工作，2017年1月加入湖南大学物理与微电子科学学院。在Nature、Nature Electron.、Nature Commun.、PNAS.和Nano Lett.等学术期刊发表SCI论文200余篇。入选英国工程技术学会会士(IET Fellow)和科睿唯安全球高被引学者。获批国家自然科学基金委杰出青年基金、万人计划“青年拔尖人才”以及湖南省创新科学研究群体等。
