11月19日，武汉理工大学柳伟教授应邀来学院进行学术交流，并作了题为“n型Bi₂Te₃基拓扑热电材料的缺陷结构及其SOC邻近效应研究”的学术报告。

在报告过程中，柳伟教授介绍了Bi₂Te₃是一类重要的室温热电材料，也是凝聚态物理领域重点关注的拓扑绝缘体材料。通过阐明n型Bi2Te3薄膜中缺陷结构的种类、浓度和分布特征及其对电子能带结构和电子输运性能的影响规律，发现存在n型Bi₂Te₃的三种点缺陷中Te_Bi反位缺陷是优化n型材料电子输运性能（包括n、m和m*）的最重要缺陷，获得了电性能优异的n型Bi₂Te₃基热电薄膜。利用Bi₂Te₃薄膜表面的高密度点缺陷对1T’-MoTe₂物相的诱导作用，在Bi₂Te₃基体表面制备出近乎纯相的1T’-MoTe₂，并通过层间作用的SOC邻近效应实现了1T’-MoTe₂中负带隙的明显打开，揭示了SOC邻近效应产生的物理机制是Mo 4d轨道和Bi 6p轨道电子态密度的提高。本研究为探索和发现热电材料的性能优化新机制以及新颖物性提供了指导和借鉴。

柳伟，研究员，现为材料复合新技术国家重点实验室研究员。长期从事热电材料的研究，研究内容包括块体热电材料的制备，基于分子束外延技术的单晶薄膜生长，基于扫描隧道显微镜的点缺陷结构、表面原子排布和扫描隧道谱研究，基于角分辨光电子能谱的电子能带结构精确测量，电输运性能和热输运性能的表征，电-热输运协同调控新机理等。作为主要成员参与了“973”重点基础研究课题2项、中美国际合作项目专项1项、国家自然科学基金面上项目1项、德国马普所研究项目1项和美国能源部研究项目2项。项目申请人以第一作者（通讯作者）和第二作者在Physical Review Letters、National Science Review、Chemistry of Materials、Journal of Materials Chemistry、Applied Physical Letters、Physical Chemistry Chemical Physics等国内外重要期刊上发表文章20篇，并撰写专著章节一章。发表文章的他引次数超过600次，作为第一作者发表在Physical Review Letters期刊（2012, 108, 166601）上的文章他引次数超过250次且被列为Web of Science高引用文章。